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糾錯(cuò)反饋與獎(jiǎng)勵(lì)

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西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)2023年考研招生簡(jiǎn)章招生目錄
招生年份:2023 本院系招生人數(shù): 未公布 光電信息工程(專碩)專業(yè)招生人數(shù): 4 專業(yè)代碼 : 085408

研究方向

085408 光電信息工程   01 柔性光電子技術(shù) (2 )  02 柔性電子器件集成 (2 ) 更多研究方向

考試科目

01:  ①101 思想政治理論  ②204 英語(yǔ)(二)  ③302 數(shù)學(xué)(二)  ④828 光學(xué)   02:  ①101 思想政治理論  ②204 英語(yǔ)(二)  ③302 數(shù)學(xué)(二)  ④882 半導(dǎo)體物理與器件 更多考試科目信息

初試
參考書目

828 光學(xué)
考試內(nèi)容
(一)光的本性
1. 理解光線與光程的概念,理解光傳播的直線性、獨(dú)立性和可逆性。
2. 熟練掌握反射定律、折射定律、全反射原理等幾何光學(xué)的基本定律。
3. 熟悉棱鏡、光纖的基本結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用。
4. 熟悉光波的概念、描述方法及光波的電磁性質(zhì)。
5. 理解光的橫波性與偏振特性以及自然光、部分偏振光與偏振光的概念。
6. 熟練掌握布儒斯特定律以及利用反射和折射獲得平面偏振光的方法。
7. 熟練掌握馬呂斯定律。
8. 熟悉光的量子性的基本概念。
9. 理解黑體輻射、光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)及光的波粒二象性。
(二)光學(xué)成像的幾何學(xué)原理
1. 掌握物與像、物空間與像空間的基本概念、光學(xué)系統(tǒng)理想成像的條件、傍軸成像條件。
2. 熟練運(yùn)用平面及單球面折射與反射成像公式、高斯物像公式、牛頓物像公式、焦距公式、橫向放大率公式解決物像關(guān)系、焦距及放大率等問題。
3. 理解共軸球面系統(tǒng)的逐次成像規(guī)律,會(huì)計(jì)算厚透鏡及薄透鏡的成像問題。
4. 理解理想光具組基點(diǎn)和基面的概念,理解焦點(diǎn)、主點(diǎn)、節(jié)點(diǎn)的確定方法,掌握理想光具組成像的幾何作圖法。
5. 熟悉像差及光闌的概念。
6. 理解光學(xué)儀器放大本領(lǐng)和集光本領(lǐng)的概念,掌握成像儀器、助視儀器及分光儀器的基本結(jié)構(gòu)和原理。
(三)光的干涉
1. 熟悉波前的概念及球面波的傍軸條件與遠(yuǎn)場(chǎng)條件。
2. 理解波動(dòng)疊加與光的干涉現(xiàn)象,深刻理解光的相干條件及干涉條件。
3. 掌握獲得相干光波的方法。
4. 熟練掌握楊氏干涉實(shí)驗(yàn)的分析方法、干涉圖樣強(qiáng)度分布及干涉條紋特點(diǎn),熟悉楊氏干涉的應(yīng)用。
5 熟悉空間相干性的概念及光源寬度與光場(chǎng)空間相干性的關(guān)系,熟悉時(shí)間相干性的概念及光源光譜寬度與光場(chǎng)時(shí)間相干性的關(guān)系。
6. 熟練掌握薄膜等傾、等厚干涉的特點(diǎn)與分析方法,熟練運(yùn)用光程差或相位差公式計(jì)算有關(guān)薄膜干涉問題。
7. 熟悉增透膜、增反膜的概念及應(yīng)用。
8. 掌握邁克爾遜干涉儀、法布里-珀羅干涉儀的原理、特點(diǎn)及應(yīng)用。
(四)光的衍射
1. 熟悉光的衍射現(xiàn)象及惠更斯-菲涅耳原理。
2. 掌握利用菲涅耳半波帶法和振幅矢量法分析圓孔和的菲涅耳衍射。
3. 掌握夫瑯和費(fèi)衍射圖樣的觀察方法。
4. 掌握利用菲涅耳半波帶法、振幅矢量法以及衍射積分法分析單縫、矩形孔雙縫的夫瑯和費(fèi)衍射,理解衍射圖樣的光強(qiáng)分布特點(diǎn)
5. 熟悉圓孔夫瑯和費(fèi)衍射圖樣的特點(diǎn),掌握艾里斑與圓孔大小的關(guān)系。
6. 熟練掌握平面光柵衍射的分析方法、衍射圖樣強(qiáng)度分布特點(diǎn)、光柵光譜、以及光柵方程的運(yùn)用。
7. 熟悉閃耀光柵、正弦光柵以及體光柵的概念及衍射特點(diǎn)。
8. 熟悉衍射與干涉的關(guān)系。
(五)光學(xué)成像的波動(dòng)學(xué)原理
1. 熟悉阿貝成像原理與空間濾波的基本概念。
2. 熟悉全息成像原理及應(yīng)用。
3. 熟悉全息透鏡與菲涅耳波帶片的概念、特點(diǎn)及應(yīng)用。
4. 理解衍射受限光學(xué)成像系統(tǒng)分辨本領(lǐng)的概念及瑞利判據(jù)的意義,熟練掌握像放大儀器、助視儀器及分光儀器的分辨本領(lǐng)計(jì)算方法。
(六)光的雙折射
1. 熟悉晶體的雙折射現(xiàn)象。
2. 深刻理解單軸晶體雙折射的特點(diǎn)以及尋常光和非常光的概念。
3. 熟練掌握各種偏振光學(xué)器件的原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及應(yīng)用。
4. 熟練掌握自然光、部分偏振光、平面偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光的獲得與檢驗(yàn)方法。
5. 掌握平面偏振光干涉的分析方法、干涉圖樣的強(qiáng)度分布特點(diǎn)。
6. 熟悉應(yīng)力雙折射、電光效應(yīng)、磁光效應(yīng)的概念及可能應(yīng)用。
7. 熟悉圓雙折射的概念,掌握自然旋光和磁致旋光效應(yīng)(法拉第效應(yīng))的特點(diǎn)及可能應(yīng)用。
(七) 光的吸收、色散及散射
1. 熟悉吸收及吸收光譜的概念,掌握吸收定律。
2. 熟悉色散的特點(diǎn)及正常色散和反常色散的區(qū)別。
3. 熟悉相速度與群速度的概念及相互聯(lián)系。
4. 熟悉散射的概念及一般規(guī)律,理解瑞利散射、米氏散射、拉曼散射的特點(diǎn)。
(八) 激光基礎(chǔ)
1. 熟悉自發(fā)輻射、受激輻射、能級(jí)壽命、粒子數(shù)布居反轉(zhuǎn)與光放大等概念。
2. 熟悉激光的產(chǎn)生、激光器的基本結(jié)構(gòu)、光學(xué)諧振腔的原理。
3. 熟悉激光的模式及幾種典型激光器的特點(diǎn)。

882 半導(dǎo)體物理與器件
考試內(nèi)容
1. 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài):半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與化學(xué)鍵性質(zhì);半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶;電子的運(yùn)動(dòng)與有效質(zhì)量;空穴和回旋共振;元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
2. 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí):元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí);化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)、位錯(cuò)和缺陷能級(jí)。
  3. 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布:狀態(tài)密度及Fermi能級(jí);載流子統(tǒng)計(jì)分布;本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度;補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度;簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的定義。
  4. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性:載流子的漂移運(yùn)動(dòng);遷移率及載流子的散射;遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)與熱載流子。
5. 非平衡載流子:非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合;非平衡載流子壽命;準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí);復(fù)合理論及陷阱效應(yīng);非平衡載流子的擴(kuò)散與漂移;愛因斯坦關(guān)系及連續(xù)性方程。
6. pn結(jié)理論:空間電荷區(qū)的形成;不同偏壓下的pn結(jié)能帶圖及參數(shù)變化;內(nèi)建電勢(shì)差、勢(shì)壘電容的定義;單邊突變結(jié)的特性與屬性。
7. pn結(jié)二極管基本工作原理:理想pn結(jié)電流-電壓關(guān)系;不同偏壓下的pn結(jié)電荷流動(dòng)機(jī)制;空間電荷區(qū)邊緣少子濃度的邊緣條件;短二極管及擴(kuò)散電容;產(chǎn)生與符合電流;雪崩擊穿機(jī)制。
8. 金-半異質(zhì)結(jié):肖特基勢(shì)壘二極管在不同偏壓下的能帶圖;肖特基勢(shì)壘二極管的原理;歐姆接觸及隧道效應(yīng);二維電子氣的定義。
9. 雙極晶體管基本工作原理:雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)、原理及少數(shù)載流子分布;低頻電流增益和非理想效應(yīng);雙極晶體管的等效電路模型;頻率特性和開關(guān)特性。
  10. 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)結(jié)構(gòu)物理基礎(chǔ):MOS結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì);能帶結(jié)構(gòu)與空間電荷區(qū);平帶電壓與閾值電壓;電容電壓特性。
  11. MOSFET基本工作原理:MOSFET基本結(jié)構(gòu);MOSFET電流電壓關(guān)系;襯底偏置效應(yīng);MOSFET的頻率特性;閂鎖現(xiàn)象。
12. MOSFET器件的深入概念:MOSFET中的非理想效應(yīng);MOSFET的按比例縮小理論;小尺寸器件的閾值電壓;MOSFET器件的擊穿特性。
13. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本工作原理:JFET和MESFET的基本工作原理;內(nèi)建夾斷電壓和夾斷電壓的定義;JFET非理想效應(yīng);
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復(fù)試科目

復(fù)試科目:
960 物理綜合
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同等學(xué)力
加試科目

同等學(xué)力加試科目:
信號(hào)與系統(tǒng)
電路基礎(chǔ)
模擬電子技術(shù)
數(shù)字電子技術(shù)
(任選二, 但不能與入學(xué)統(tǒng)考初試科目相同)
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題型結(jié)構(gòu)

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資料說明

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復(fù)試
分?jǐn)?shù)線

      西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)考研復(fù)試分?jǐn)?shù)線對(duì)考研人來說是非常重要的信息,考研復(fù)試分?jǐn)?shù)線就決定了考多少分才能有機(jī)會(huì)進(jìn)復(fù)試的一個(gè)最低標(biāo)準(zhǔn)。如果西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)考研復(fù)試分?jǐn)?shù)線過高的話,那么對(duì)于基礎(chǔ)相對(duì)較差的考生肯定就會(huì)有一定的難度,而如果西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)考研復(fù)試分?jǐn)?shù)線較低的話就會(huì)比較容易。當(dāng)然復(fù)試分?jǐn)?shù)線也受試題難度等影響,也不能完全根據(jù)分?jǐn)?shù)線來判斷考研難易程度。我們提供的復(fù)試分?jǐn)?shù)線可能來源于大學(xué)名研究生院網(wǎng)站,也可能由西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)的研究生提供,不代表學(xué)校官方數(shù)據(jù),可能有誤差,供考生參考,如有誤差本站不承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。

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錄取比例

      西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)考研錄取比例代表著你有多大的概率或者可能性考研成功,這是每個(gè)考研人都十分關(guān)注的非常現(xiàn)實(shí)的一個(gè)問題。西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)考研報(bào)錄比,顧名思義,是報(bào)考人數(shù)與錄取人數(shù)的比例關(guān)系。西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)研究生歷年錄取比例以及歷年報(bào)錄比的對(duì)每個(gè)考生都非常重要。知道了西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)研究生錄取比例,就可以做到心中有數(shù),在起跑線上就已經(jīng)處于領(lǐng)先地位了。我們提供的報(bào)錄比可能來源于大學(xué)名研究生院網(wǎng)站,也可能由西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)的研究生提供,不代表學(xué)校官方數(shù)據(jù),可能有誤差,供考生參考,如有誤差本站不承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任

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難度系數(shù)

      西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)考研難度系數(shù)是經(jīng)過多屆(一般3屆以上)大量的報(bào)考西北工業(yè)大學(xué)光電信息工程(專碩)專業(yè)研究生的考生根據(jù)專業(yè)課的難度、分?jǐn)?shù)線、報(bào)錄比等多種因素分析出來的參考數(shù)據(jù),最高為10(代表非常難考,代表強(qiáng)手多,競(jìng)爭(zhēng)大,需要足夠的重視和付出,考研復(fù)習(xí)時(shí)間建議一年以上),最低為3(代表競(jìng)爭(zhēng)不大,報(bào)考人數(shù)少,正常情況下好好復(fù)習(xí)半年左右就有比較大的成功率)。難度系數(shù)僅供考生參考,不代表學(xué)校官方數(shù)據(jù),不對(duì)數(shù)據(jù)承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。

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